长鑫科技开盘跳水

长鑫4F² DRAM将量产，引发全球存储板块跳水

上周末，第四届集成芯片和芯粒大会上，长鑫存储总裁曹堪宇在演讲中宣布，公司在4F² DRAM架构上取得“关键进展”，预计年底前推出融合该架构与晶圆级混合键合技术的DDR5 RDIMM产品，直指服务器内存市场。

周末过后，全球半导体市场给出了剧烈反应。

10月12日周一，美光科技在纽约证券交易所收跌3.88%，股价跌破每股1000美元，距离6月高点回撤近两成，逼近技术性熊市。闪迪跌5.97%，费城半导体指数下跌2.67%。周二亚洲市场开盘，韩国KOSPI指数跳水，三星电子和SK海力士盘中一度分别下跌超过6%和9%，交易所启动SIDECAR机制暂停程序化卖盘。A股存储链随之承压，长鑫科技早盘跌4.55%，兆易创新跌5.73%。

一份技术计划，为什么让全球存储板块集体跳水？

4F²改变了什么

要理解市场的反应，先要理解4F²在DRAM技术演进中的位置。

当前商用DRAM芯片普遍采用6F²架构。F代表光刻工艺能实现的最小线宽，一个存储单元由一个晶体管和一个电容器组成，6F²意味着每个单元占据6倍最小特征尺寸的平方面积。4F²将单元面积压缩到4倍，面积缩小约三分之一，同等面积下存储密度理论上可提升30%至50%。

但这不是简单的尺寸缩小。从6F²到4F²，本质上是晶体管沟道方向从水平布局向垂直布局的根本性变革。6F²时代的设计和工艺流程无法完全复用，需要整合一套全新的工艺体系。

长鑫的核心创新在于自研的VSG垂直包围栅晶体管。传统水平结构晶体管随制程微缩必然出现短沟道效应，导致阈值电压漂移和性能不稳定。而DRAM的漏电问题更为致命——存储单元依靠电容中的电荷量区分逻辑“1”和“0”，漏电过高意味着电荷快速流失，还没到刷新时间点数据就已经出错。行业常规做法是提高刷新频率，但这会额外消耗功耗，挤占读写带宽。VSG晶体管采用垂直包围沟道结构，实现更强栅控，同时解决漏电与短沟道效应。

另一个关键突破是晶圆级混合键合。长鑫将DRAM存储阵列与外围CMOS电路解耦，通过晶圆级混合键合实现高速互联。这破除了传统一体化制造中长期存在的工艺瓶颈。

通俗地说，4F²不只是让芯片更小，而是让DRAM的制造方式从二维缩放迈向三维集成。

时间差才是真正的冲击

技术先进固然重要，但真正让市场恐慌的，是长鑫的时间表。

三星电子在DRAM制造技术上同样在推进4F²架构。今年4月，三星首次成功产出10纳米以下级别的工作晶圆，采用4F²架构与垂直沟道晶体管技术，实际电路线宽约9.5至9.7纳米。但三星的计划是2026年完成开发，2027年进行质量测试，2028年量产。

SK海力士的节奏更慢。该公司直到2025年6月的IEEE VLSI研讨会上才首次披露4F²路线图，计划将4F²垂直栅极平台应用于10纳米及以下工艺，但没有给出明确的量产时间表。

如果长鑫年底如期交付4F² DDR5 RDIMM产品，意味着它在下一代DRAM架构上的量产时间将比三星提前约两年，比SK海力士更早。对于长期以来在DRAM技术上跟在三星和海力士身后追赶的中国厂商来说，这是一个从未出现过的局面。

市场恐慌的根源不在于长鑫现在的产品有多强，而在于它展示了一种可能性：中国存储厂商可能不再只是追赶传统DRAM，而是在下一代技术和高价值服务器内存产品领域，与行业领导者正面竞争。

份额曲线已经在动了

技术计划之外，长鑫的市场份额数据也在同步上移。

TrendForce数据显示，2026年第二季度长鑫在全球DRAM营收中的份额攀升至9.5%，较上一季度的7.6%大幅提升，稳居全球第四。排在前面的三星为39.4%，SK海力士24.9%，美光23.3%。

一年前，长鑫的份额还只有4%。从4%到10%，长鑫只用了四个季度。Counterpoint的数据显示，三大传统厂商的合计份额已从一年前的94%降至87%，长鑫正在持续蚕食这一空间。长鑫2026年上半年营收达到1503.1亿元人民币，同比增长近900%，增速远超三星、SK海力士和美光。

产能方面，长鑫从合肥到上海的新厂正在朝着每月60万片晶圆的产能目标推进，相当于把制造产能直接翻倍。

量产才是真正的考验

但市场的剧烈反应，并不等于长鑫已经赢了。

长鑫没有披露4F²产品的详细规格、良率、芯片尺寸、功耗、晶圆产能或客户认证结果。前SK海力士研究员郑仁成表示：“即使长鑫在年底前成功开发出4F²产品，该公司能否生产出足够多的芯片，从而对市场产生有意义的影响，仍然值得怀疑。”

历史经验提供了参照。2022年，台湾媒体及其他渠道报道称长鑫计划当年年底前实现DDR5芯片量产。但搭载长鑫芯片的DDR5产品直到2024年底才真正开始出现在市场上。业内人士去年也报道，由于良率和可靠性问题，长鑫在扩大新型DDR5芯片产能方面遇到困难。

从技术发布到大规模量产，中间隔着良率爬坡、工艺稳定、客户认证和产能建设的漫长链路。宣布一项技术取得进展，和把这颗芯片以足够低的成本、足够高的良率、足够大的规模生产出来，是两件完全不同的事。

有分析师指出，长鑫的4F²产品对标的是普通服务器DDR5，而非当前最稀缺、利润最丰厚的HBM高带宽内存。在HBM领域，SK海力士和美光仍然占据绝对主导地位。长鑫的技术突破对HBM市场的短期影响有限。

韩国厂商的反应暴露了什么

面对长鑫的进展，韩国存储巨头的反应比股价下跌更值得关注。

三星在10月13日加州硅谷举行的OCP全球峰会上发布了第八代高带宽内存HBM5、定制化HBM、基于CXL的内存扩展技术以及下一代固态硬盘。三星DS部门存储器事业部AE团队常务沈浩俊亲自发布。这一举动反映出三星的战略：将其技术竞争力从HBM扩展到更广泛的AI基础设施市场，包括系统内存和存储。

SK集团会长崔泰源在上海表达了更直接的担忧：“如果中国厂商或美国美光以比我们更快的速度扩大产能，我国的市场份额将会下降。我们需要尽快扩大生产设施。”

韩国祥明大学教授李钟焕则强调了政府支持的必要性：“要保持约80%的全球市场份额，并在产能和技术方面建立压倒性领先优势，重要的不仅是企业投资，还有政府实施支持措施的速度。”

韩国产业界的焦虑是真实的。DRAM是韩国半导体产业的支柱，三星和SK海力士合计占据全球超过64%的市场份额。如果中国厂商在下一代技术上实现反超，韩国在这一领域的长期优势将面临根本性挑战。

存储竞争的逻辑正在被重新书写

在更宏观的背景下，全球DRAM市场正处在一个特殊周期。AI基础设施的爆发式扩张推高了存储芯片需求，2026年第二季度全球DRAM市场营收同比暴涨385%。在这个增量市场里，长鑫的份额扩张并没有直接导致三星或美光的绝对收入下降，但它改变了市场的预期——投资者开始为“未来的份额流失”定价。

马斯克在社交媒体上的评论被广泛传播：“一旦中国掌握某项产品的制造工艺，其规模能力会远超世界其他地区，锂电池和光伏都是先例。”在他看来，RAM前些年仍被当作低毛利的大宗商品，而LPDDR5、LPDDR6这类标准化设计，天然方便不同厂商放手扩产。